關(guān)注點一：功率半導(dǎo)體器件性能

1998年，Infineon公司推出冷mo管，采用“超級結(jié)”Super-Junct結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET工作電壓600V800V通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍堅持開關(guān)速度快的特點，一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體電子器件。海拉代理商

IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V25A 很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V1700V經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A 和4500V/1800A 高壓IGBT單片耐壓已達到6500V一般IGBT工作頻率上限為20kHz40kHz基于穿通(PT型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)制造的IGBT可工作于150kHz硬開關(guān))和300kHz軟開關(guān))

IGBT技術(shù)進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結(jié)構(gòu)形式的不同，IGBT20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通(PT型、非穿通(NPT型、軟穿通(SPT型、溝漕型和電場截止(FS型。

碳化硅Sic功率半導(dǎo)體器件晶片的理想資料，其優(yōu)點是禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、PN結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體電子元器件。

可以預(yù)見，碳化硅將是21世紀(jì)最可能勝利應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件資料。

關(guān)注點二：http://m.10000365.com.cn/開關(guān)電源功率密度

提高開關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，人們不時努力追求的目標(biāo)。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設(shè)備尤為重要。使開關(guān)電源小型化的具體方法有：

一是高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度，必需提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。

二是應(yīng)用壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷資料特有的電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路，功率變換領(lǐng)域的研究熱點之一。

三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量，必需設(shè)法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。

關(guān)注點三：高頻磁與同步整流技術(shù)

電源系統(tǒng)中應(yīng)用大量磁元件，高頻磁元件的資料、結(jié)構(gòu)和性能都不同于工頻磁元件，有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性資料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性資料為人們所關(guān)注，納米結(jié)晶軟磁資料也已開發(fā)應(yīng)用。

高頻化以后，為了提高開關(guān)電源的效率，必需開發(fā)和應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)。過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。

對于低電壓、大電流輸出的軟開關(guān)變換器，進一步提高其效率的措施是設(shè)法降低開關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管，代替肖特基二極管(SBD可降低管壓降，從而提高電路效率。

關(guān)注點四：分布電源結(jié)構(gòu)

分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處置站)大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源，其優(yōu)點是可實現(xiàn)DC/DC變換器組件模塊化;容易實現(xiàn)N+1功率冗余，易于擴增負載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設(shè)計;瞬態(tài)響應(yīng)好;可在線更換失效模塊等。

現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)類型，一是兩級結(jié)構(gòu)，另一種是三級結(jié)構(gòu)。

關(guān)注點五：PFC變換器

由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，正弦電壓輸入時，單相整流電源供電的電子設(shè)備，電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.60.65采用PFC功率因數(shù)校正)變換器，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.950.99輸入電流THD小于10%既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱為有源功率因數(shù)校正APFC單相APFC國內(nèi)外開發(fā)較早，技術(shù)已較成熟;三相APFC拓撲類型和控制戰(zhàn)略雖然已經(jīng)有很多種，但還有待繼續(xù)研究發(fā)展。

一般高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，由兩級拓撲組成，對于小功率AC/DC開關(guān)電源來說，采用兩級拓撲結(jié)構(gòu)總體效率低、利息高。

如果對輸入端功率因數(shù)要求不特別高時，將PFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個拓撲，構(gòu)成單級高功率因數(shù)AC/DC開關(guān)電源，只用一個主開關(guān)管，可使功率因數(shù)校正到0.8以上，并使輸出直流電壓可調(diào)，這種拓撲結(jié)構(gòu)稱為單管單級即S4PFC變換器。

關(guān)注點六：電壓調(diào)節(jié)器模塊VRM

電壓調(diào)節(jié)器模塊是一類低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊，向微處理器提供電源。

現(xiàn)在數(shù)據(jù)處置系統(tǒng)的速度和效率日益提高，為降低微處理器ic電場強度和功耗，必需降低邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V而電流則高達50A 100A 所以對VRM要求是輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應(yīng)等。

關(guān)注點七：全數(shù)字化控制

電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數(shù)混合控制，進入到全數(shù)字控制階段。全數(shù)字控制是一個新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設(shè)備中得到應(yīng)用。

但是過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來，電源的高性能全數(shù)字控制芯片已經(jīng)開發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開發(fā)并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字控制芯片及軟件。

全數(shù)字控制的優(yōu)點是數(shù)字信號與混合模數(shù)信號相比可以標(biāo)定更小的量，芯片價格也更低廉;對電流檢測誤差可以進行精確的數(shù)字校正，電壓檢測也更精確;可以實現(xiàn)快速，靈活的控制設(shè)計。

關(guān)注點八：電磁兼容性

高頻開關(guān)電源的電磁兼容EMC問題有其特殊性。

功率半導(dǎo)體開關(guān)管在開關(guān)過程中產(chǎn)生的di/dt和dv/dt引起強大的傳導(dǎo)電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會引起強電磁場(通常是近場)輻射。不但嚴(yán)重污染周圍電磁環(huán)境，對附近的電氣設(shè)備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的平安。同時，電力電子電路(如開關(guān)變換器)內(nèi)部的控制電路也必需能接受開關(guān)動作發(fā)生的EMI及應(yīng)用現(xiàn)場電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI丈量上的具體困難，電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著許多科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國內(nèi)外許多大學(xué)均開展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究效果標(biāo)明，開關(guān)變換器中的電磁噪音源，主要來自主開關(guān)器件的開關(guān)作用所產(chǎn)生的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。

關(guān)注點九：設(shè)計和測試技術(shù)

建模、仿真和CA D一種新的設(shè)計工具。為仿真電源系統(tǒng)，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數(shù)字和模擬控制電路以及磁元件和磁場分布模型等，還要考慮開關(guān)管的熱模型、可靠性模型和EMC模型。各種模型差別很大，建模的發(fā)展方向是數(shù)字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個統(tǒng)一的多層次模型等。

電源系統(tǒng)的CA D包括主電路和控制電路設(shè)計、器件選擇、參數(shù)最優(yōu)化、磁設(shè)計、熱設(shè)計、EMI設(shè)計和印制電路板設(shè)計、計算機輔助綜合和優(yōu)化設(shè)計等。用基于仿真的專家系統(tǒng)進行電源系統(tǒng)的CA D可使所設(shè)計的系統(tǒng)性能最優(yōu)，減少設(shè)計制造費用，并能做可制造性分析，21世紀(jì)仿真和CA D技術(shù)的發(fā)展方向之一。此外，電源系統(tǒng)的熱測試、EMI測試、等技術(shù)的開發(fā)、研究與應(yīng)用也是應(yīng)大力發(fā)展的

關(guān)注點十：系統(tǒng)集成技術(shù)

電源設(shè)備的制造特點是非標(biāo)準(zhǔn)件多、勞動強度大、設(shè)計周期長、等，實際上，電源集成技術(shù)的發(fā)展進程中，已經(jīng)經(jīng)歷了電力半導(dǎo)體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無源元件(包括磁集成技術(shù))等發(fā)展階段。近年來的發(fā)展方向是將小功率電源系統(tǒng)集成在一個芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長度，從而減小了寄生參數(shù)。此基礎(chǔ)上，可以實現(xiàn)一體化，所有元器件連同控制維護集成在一個模塊中.海拉代理商-上海匯柴